Le 18 juillet 2022, 15h45
Ce séminaire se déroulera en anglais.
In‐Situ TEM observation of Oswald ripening in germanium growth on freestanding graphene and its application to wafer scale layer transfer process (PEELER)
In‐situ High resolution transmission electron microscopy (HR‐TEM) dynamic investigation of the nucleation of germanium islands on free standing graphene allow direct observation of basic phenomenon such as island nucleation, growth and coalescence. The experimental observations demonstrate that nucleation is enhanced by low temperature deposition, and that the coarsening process is dominated by Oswald ripening, this latter phenomenon leads to monocrystalline coalescence when it occurs below a certain critical size.
These basic observations have been applied to mesoporous germanium in order to design and fabricate detachable monocrystalline nanomembranes. We have demonstrated the first wafer scale detachable and flexible germanium nanomembrane through the new so‐called PEELER process, the substrate can be re‐used to produce more nanomembranes in the same fashion as the remote epitaxy process enabling layer separation and transfer for non‐polar group IV‐IV materials. It is shown that this substrate is compatible with MOCVD growth of device quality materials.
Abderraouf Boucherif est professeur adjoint en génie mécanique à l’Université de Sherbrooke depuis 2018. Il est le lauréat 2020 du prix Tremplin en sciences naturelles et en génie. Ses recherches portent sur les nanomatériaux semi-conducteurs pour les énergies renouvelables. À la tête d’une équipe multidisciplinaire de plus de 20 scientifiques, étudiantes et étudiants, il est le chercheur principal de projets de recherche à grande échelle en partenariat avec l’industrie afin de créer de nouveaux nanomatériaux pour des applications en énergie solaire. Parmi ses principales réalisations, on peut citer la démonstration d’un processus de transfert de couches de semi-conducteurs et de réutilisation de substrats, ainsi que d’un substrat virtuel III-V sans défaut sur silicium. Il a publié plus de 70 articles dans des revues internationales à comité de lecture et a reçu plusieurs prix pour ses contributions exceptionnelles à la recherche appliquée. Voici un lien vers son CV détaillé.