Le 19 juillet 2022, 16h
Ce séminaire se déroulera en anglais.
Novel approaches to photovoltaic and photonic power conversion
There is an ever-growing demand for increased power and sophistication in the satellite systems orbiting our planet, driven in part by increasing reliance on high speed communication and data links. Photovoltaics conversion is one avenue that can be explored to meet these challenges, in space as well as terrestrially, with III-V’s being the most promising materials for very high efficiency devices. This talk will give an overview of PV research at RIT, discussing our quantum well multi-junction approach and specific results using superlattices and various light management schemes. I will also discuss our work on a new type of three-terminal, monolithically integrated device that combines both power generation and optical communication. Our recent results show the capability for either photovoltaic or photonic power conversion (using both GaAs and InP based systems) combined with electroabsorptive modulation of data signals at 1.55 μm for simultaneous free space optical communication and energy production.
Seth Hubbard est présentement professeur de physique et d’ingénierie des microsystèmes au Rochester Institute of Technology et directeur des NanoPower Research Laboratories. Il est expert en matière de croissance des matériaux III-V et de dispositifs optoélectroniques III-V. Son équipe étudie la croissance épitaxiale, la fabrication de dispositifs et la caractérisation de divers dispositifs solaires et de récupération d’énergie. Il est l’auteur ou le coauteur de plus de 200 articles traitant de dispositifs électroniques et photovoltaïques publiés dans des journaux scientifiques et actes de conférences. Il a reçu un prix CAREER de la NSF ainsi que le prix Trustee’s Scholarship Award du Rochester Institute of Technology. Prof. Hubbard est un éditeur du IEEE Journal of Photovoltaics et a présidé la 47th IEEE Photovoltaics Specialists Conference en 2020. Il a obtenu son doctorat en génie électrique à la University of Michigan Ann Arbor, où il a étudié les transistors à effet de champ à hétérojonction GaN et AlGaN de haute puissance.